什么是內(nèi)存時(shí)序?
內(nèi)存時(shí)序其實(shí)就是描述內(nèi)存條性能的一種參數(shù),一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD中.一般數(shù)字“11-11-11-28”分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”, CAS Latency(簡(jiǎn)稱CL值)是內(nèi)存CAS延遲時(shí)間,RAS-to-CAS Delay(tRCD),內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間; RAS Precharge Delay(tRP),內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間; Row Active Delay(tRAS),內(nèi)存行地址選通延遲.
內(nèi)存時(shí)序是什么意思
轉(zhuǎn)給你看看內(nèi)存參數(shù)規(guī)格: 內(nèi)存的時(shí)序參數(shù)一般簡(jiǎn)寫(xiě)為2/2/2/6-11/1T的格式,分別代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值. 2/2/2/6-11/1T中最后兩個(gè)時(shí)序參數(shù),也就是tRAS和CMD(Command縮寫(xiě)),是其中較復(fù)雜的時(shí)序參數(shù).目前市場(chǎng)上對(duì)這兩個(gè)…
內(nèi)存時(shí)序是什么意思,詳細(xì)解釋一下?謝謝!
一種參數(shù),一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD上.2-2-2-8 4個(gè)數(shù)字的含義依次為:CAS Latency(簡(jiǎn)稱CL值)內(nèi)存CAS延遲時(shí)間,他是內(nèi)存的重要參數(shù)之一,某些牌子的內(nèi)存會(huì)把CL值印在內(nèi)存條的標(biāo)簽上.RAS-to-CAS Delay(tRCD),內(nèi)存行地址傳輸?shù)?#8230;
什么是電腦內(nèi)存的時(shí)序?
1,內(nèi)存的時(shí)序理論上是越低越好,但是前提是保證能夠穩(wěn)定的運(yùn)行! 2,雙通道是否支持要看主板芯片組(比如865PE 875 915以及NF2U KT880等)或者是CPU是否支持(比如939的A64等) 描述內(nèi)存條性能的主要技術(shù)指標(biāo)是: 1.速度 內(nèi)…
內(nèi)存時(shí)序什么意思
是的,內(nèi)存時(shí)序就是描述內(nèi)存性能的,可以在CMOS中修改,內(nèi)容太多不復(fù)制了,自己去看百度百科:內(nèi)存時(shí)序
什么是內(nèi)存時(shí)序?對(duì)電腦的意義.
目前的內(nèi)存由于自帶SPD芯片,芯片內(nèi)部已經(jīng)存了內(nèi)存的相關(guān)參數(shù),CPU會(huì)自動(dòng)從SPD芯片讀取內(nèi)存參數(shù),所以你換內(nèi)存可以不用考慮那些問(wèn)題,但前提是你的主板CMOS設(shè)置為自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存
我問(wèn)下內(nèi)存的時(shí)序是做什么的
時(shí)序就是時(shí)鐘順序 當(dāng)然專業(yè)一點(diǎn)叫做時(shí)鐘周期 如果相同規(guī)格的內(nèi)存的時(shí)鐘延時(shí)高 那么延時(shí)高的這個(gè)內(nèi)存質(zhì)量是不行的 買內(nèi)存要看廠家 因?yàn)榇髲S家生產(chǎn)的內(nèi)存條性能好 品質(zhì)有保證 也不要小看延時(shí) 現(xiàn)如今沒(méi)有一款計(jì)算機(jī)部件不是在追求更快更強(qiáng) 都是在這個(gè)延時(shí)上做研究呢 哈哈
內(nèi)存條時(shí)序4 – 4 – 4 – 12什么意思?
內(nèi)存時(shí)序參數(shù)一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD上.4-4-4-12的含義依次為:CAS Latency(簡(jiǎn)稱CL值)內(nèi)存CAS延遲時(shí)間,他是內(nèi)存的重要參數(shù)之一,某些牌子的內(nèi)存會(huì)把CL值印在內(nèi)存條的標(biāo)簽上.RAS-to-CAS Delay(tRCD),內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間.Row-precharge Delay(tRP),內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間.Row-active Delay(tRAS),內(nèi)存行地址選通延遲.這是玩家最關(guān)注的4項(xiàng)時(shí)序調(diào)節(jié),在大部分主板的BIOS中可以設(shè)定,內(nèi)存模組廠商也有計(jì)劃的推出了低于JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的低延遲型超頻內(nèi)存模組.
關(guān)于內(nèi)存時(shí)序問(wèn)題
這幾個(gè)值都是內(nèi)存的延遲時(shí)間,都是越小越好,CL值會(huì)對(duì)其他值產(chǎn)生影響,cl值設(shè)小了,其他值可能就跟不上,反而要調(diào)大,要不了內(nèi)存可能不能工作.你看不懂建議你不要調(diào)了,性能差別非常小!長(zhǎng)的時(shí)序?qū)Τl有幫助!要懂這些知識(shí),可自…
內(nèi)存 cl延遲 也叫內(nèi)存時(shí)序?
內(nèi)存 cl延遲:CL反應(yīng)時(shí)間是衡定內(nèi)存的另一個(gè)標(biāo)志.CL是CAS Latency的縮寫(xiě),指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間,簡(jiǎn)單的說(shuō),就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度. 內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)進(jìn)行存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時(shí)間. 內(nèi)存時(shí)序:是描述內(nèi)存條性能的一種參數(shù),一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD中.