內(nèi)存如何超頻
你只要超頻CPU的外頻也就超了內(nèi)存的頻率,你可以用CPU-Z的軟件看看自己CPU和內(nèi)存的頻率,每個(gè)牌子的主板設(shè)置都有點(diǎn)區(qū)別的,你要看主板的說(shuō)明書才好.另外有的主板用超頻軟件也可以超的,你也可以下載超頻軟件試試,超頻與CPU溫度關(guān)系很大的,風(fēng)扇的好壞也直接關(guān)系到超頻的程度的.
內(nèi)存怎么超頻
內(nèi)存的運(yùn)行速度必須一致 不能單獨(dú)超頻 如果是DDR333 DDR400 DDR400的那條會(huì)自動(dòng)降頻到333運(yùn)行 當(dāng)然如果這時(shí)候提升外頻的話 兩條內(nèi)存的頻率會(huì)同時(shí)上升 也就達(dá)到了超頻的目的 不過(guò)能超到多少要取決于那條DDR333的“體質(zhì)”了
怎么給內(nèi)存超頻啊？
．內(nèi)存同步超頻
對(duì)于內(nèi)存超頻而言，根據(jù)不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時(shí)內(nèi)存超頻又與CPU有著直接或間接的關(guān)系，一般來(lái)說(shuō)，內(nèi)存超頻的實(shí)現(xiàn)方法有兩種：一是內(nèi)存同步，即調(diào)整CPU外頻并使內(nèi)存與之同頻工作；二是內(nèi)存異步，即內(nèi)存工作頻率高出CPU外頻。
首先我們說(shuō)說(shuō)內(nèi)存同步超頻，我們知道，在一般情況下，CPU外頻與內(nèi)存外頻是一致的，所以在提升CPU外頻進(jìn)行超頻時(shí)，也必須相應(yīng)提升內(nèi)存外頻使之與CPU同頻工作，比如我們擁有一個(gè)平臺(tái)，CPU為Athlon XP 1800+、KT600主板、DDR266內(nèi)存。Athlon XP 1800+默認(rèn)外頻為133MHz、默認(rèn)倍頻為11.5，主頻為1.53G，由于Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了，只能通過(guò)提升外頻的方法超頻，假如將Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz，此時(shí)CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。
由于我們將CPU外頻提高到了166MHz，假如你使用的是DDR333以上規(guī)格內(nèi)存，那么將內(nèi)存頻率設(shè)置為166MHz屬于標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，但這里使用的是DDR266內(nèi)存，為了滿足CPU超頻需求，內(nèi)存也必須由原來(lái)的DDR266（133MHz）超頻到DDR333（166MHz）使用。具體方法是進(jìn)入BIOS設(shè)置，找到“Advanced Chipset Features” 選項(xiàng)，然后會(huì)看到一個(gè)“DRAM Clock”選項(xiàng)，將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到這里并回車，然后會(huì)出現(xiàn)內(nèi)存頻率設(shè)置選項(xiàng)，在這里我們選擇“166MHz”并回車，保存設(shè)置并退出即實(shí)現(xiàn)了內(nèi)存同步超頻。
2．內(nèi)存異步超頻
在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運(yùn)行速度與CPU外頻相同。而內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz或3:4、4:5（內(nèi)存:外頻）的頻率上，這樣可以緩解超頻時(shí)經(jīng)常受限于內(nèi)存的“瓶頸”。
對(duì)于支持SDRAM內(nèi)存的老主板而言（如815系列），在支持內(nèi)存異步的主板BIOS中，可以在“DRAM Clock”下找到“Host Clock”、“Hclk-33M”、“Hclk+33M”三個(gè)模式。其中Host Clock為總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步，Hclk-33M表示總線頻率減少33M，而Hclk+33M可以使內(nèi)存的工作頻率比系統(tǒng)外頻高出33MHz，比如將賽揚(yáng)1.0G外頻從100MHz超到125MHz，而你的內(nèi)存為PC133規(guī)格（即標(biāo)準(zhǔn)外頻為133MHz），此時(shí)在BIOS的“DRAM Clock”下選擇“Hclk+33M”，可以讓賽揚(yáng)1.0G工作在125MHz外頻下，而內(nèi)存卻可以在133MHz頻率下運(yùn)行，充分挖掘內(nèi)存的超頻潛力并提升系統(tǒng)性能。
而對(duì)于支持DDR內(nèi)存的老主板而言（如845G芯片組），Intel規(guī)定845G只支持DDR266（133MHz×2）內(nèi)存，不過(guò)有的品牌845G主板在BIOS中加入內(nèi)存異步功能（比如微星845G MAX），在BIOS中按照4:5的比例進(jìn)行設(shè)置，可以讓內(nèi)存運(yùn)行在166MHz，從而支持DDR333（166MHz×2），并使內(nèi)存帶寬提升到2.66GB/s。具體操作方式是：進(jìn)入BIOS設(shè)置中，進(jìn)入“Advanced Chipset Features”的“DRAM Timing Setting”選項(xiàng)，然后進(jìn)入“DRAM Frequency（內(nèi)存頻率）”選項(xiàng)，在這里可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHz Auto等選項(xiàng)，我們直接選中“320MHz”即可。
3．增加電壓幫助超頻
內(nèi)存頻率提升了，所以內(nèi)存功耗也隨之增加，但在默認(rèn)情況下，主板BIOS中內(nèi)存電壓參數(shù)是被設(shè)置為內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)頻率的數(shù)值，通常來(lái)說(shuō)，為了確保內(nèi)存超頻的穩(wěn)定性，我們需要增加內(nèi)存電壓，很多主板BIOS設(shè)置中都提供了內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)功能，同時(shí)內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)級(jí)別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調(diào)節(jié)，內(nèi)存電壓參數(shù)調(diào)節(jié)越細(xì)微，對(duì)超頻越有幫助。
調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓的方式是進(jìn)入“Advanced Chipset Features”選項(xiàng)，然后將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到“Current Voltage”上，在這里我們看到，該主板內(nèi)存電壓分了好幾段，電壓調(diào)節(jié)范圍從1.60V～2.70V，每相鄰的兩項(xiàng)之間的差值為0.1V，我們使用鍵盤上的向上鍵增加電壓，每按一次增加0.1V電壓。需要注意的是，超頻時(shí)不要一次將內(nèi)存電壓提升太高，首先提升0.1V電壓，然后保存退出，進(jìn)入WINDOWS系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存進(jìn)行性能測(cè)試，如果很穩(wěn)定，可以重新進(jìn)入BIOS中再次將內(nèi)存電壓提升0.1V，依次類推，直到自己滿意為止。
你懂嗎？不懂就放棄！
內(nèi)存超頻怎么超?
進(jìn)入BIOS內(nèi)存參數(shù)菜單 方法:將光標(biāo)移動(dòng)至“dram configuration”處單擊enter鍵即可. 設(shè)置內(nèi)存參數(shù)(由于參數(shù)較多所以名稱全部為縮寫,可能各個(gè)主板上有些區(qū)別) 方法: 1、 調(diào)整主要參數(shù) 分別將tcl 設(shè)置為 5t ;trtc 設(shè)置為 5t ;trp設(shè)置為 5t ;tras設(shè)置為 15t; 2、 將光標(biāo)移動(dòng)至“ddrii timing item”更改設(shè)置為“enabled”; 3、 調(diào)整次要參數(shù) 分別將trc 設(shè)置為24 ;twr 設(shè)置為 5t ;“trfc0~4”設(shè)置為195ns; 按f10保持并加載現(xiàn)有的設(shè)置 由于各個(gè)主板的BIOS或者硬件不一樣,上面的參數(shù)可能不適合你,請(qǐng)不要對(duì)號(hào)入座! 謝謝采納!
如何超頻內(nèi)存?
就是提高內(nèi)存的工作頻率和前端總線來(lái)實(shí)現(xiàn)超頻.在BIOS里設(shè)置.
內(nèi)存條如何超頻
由于內(nèi)存本身質(zhì)量的限制，如果提高VIO電壓來(lái)增強(qiáng)內(nèi)存的可超性，內(nèi)存會(huì)散發(fā)出較多的熱量。因此，超頻玩家想到一個(gè)對(duì)策：加裝散熱片（Heatsink）以間接增強(qiáng)內(nèi)存的可超性。其原理就如同GeForce4顯卡的顯存顆粒上都裝配散熱片來(lái)幫助散熱一樣。
內(nèi)存條是CPU可通過(guò)總線尋址，并進(jìn)行讀寫操作的電腦部件。內(nèi)存條在個(gè)人電腦歷史上曾經(jīng)是主內(nèi)存的擴(kuò)展。隨著電腦軟、硬件技術(shù)不斷更新的要求，內(nèi)存條已成為讀寫內(nèi)存的整體。我們通常所說(shuō)電腦內(nèi)存（RAM）的大小，即是指內(nèi)存條的總?cè)萘俊?/p>
內(nèi)存條是電腦必不可少的組成部分，CPU可通過(guò)數(shù)據(jù)總線對(duì)內(nèi)存尋址。歷史上的電腦主板上有主內(nèi)存，內(nèi)存條是主內(nèi)存的擴(kuò)展。以后的電腦主板上沒有主內(nèi)存，CPU完全依賴內(nèi)存條。所有外存上的內(nèi)容必須通過(guò)內(nèi)存才能發(fā)揮作用。內(nèi)存條分為DRAM和ROM兩種，前者叫動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失；后者叫只讀存儲(chǔ)器，斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。
怎么給內(nèi)存超頻??
CPU工作頻率=外頻*倍頻,尋求最佳的倍頻、外頻組合:遞增倍頻、外頻的頻率,直到無(wú)法開機(jī),最后一次可開機(jī)的組合即為最佳組合!然后在向上一階,以＂加壓＂的方式來(lái)使系統(tǒng)穩(wěn)定!一般來(lái)說(shuō)所增加的電壓最好是在正常電壓的1/10. 超頻沒規(guī)則可循:在此必須強(qiáng)調(diào),類似什么『這顆CPU要加多少電壓才上的去XXXXMHz?』這類的問(wèn)題其實(shí)很難得到確切的答案.
如何進(jìn)行內(nèi)存超頻
內(nèi)存不可超頻,CPU可超頻由于它的散熱人為可變,內(nèi)存超頻下場(chǎng)只有燒壞,不過(guò)電腦系統(tǒng)會(huì)保護(hù)他不叫超頻,所之內(nèi)存條不可超頻.
內(nèi)存怎么超頻?
能 調(diào)節(jié)外頻在power設(shè)置里,BIOS里右上角 類似于DDR333(166NHz)、DDR400(200MHz) 的選項(xiàng) 越高速度越快,對(duì)內(nèi)存要求也越高
內(nèi)存 如何超頻？？
內(nèi)存超頻 ．內(nèi)存同步超頻
對(duì)于內(nèi)存超頻而言，根據(jù)不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時(shí)內(nèi)存超頻又與CPU有著直接或間接的關(guān)系，一般來(lái)說(shuō)，內(nèi)存超頻的實(shí)現(xiàn)方法有兩種：一是內(nèi)存同步，即調(diào)整CPU外頻并使內(nèi)存與之同頻工作；二是內(nèi)存異步，即內(nèi)存工作頻率高出CPU外頻。
首先我們說(shuō)說(shuō)內(nèi)存同步超頻，我們知道，在一般情況下，CPU外頻與內(nèi)存外頻是一致的，所以在提升CPU外頻進(jìn)行超頻時(shí)，也必須相應(yīng)提升內(nèi)存外頻使之與CPU同頻工作，比如我們擁有一個(gè)平臺(tái)，CPU為Athlon XP 1800+、KT600主板、DDR266內(nèi)存。Athlon XP 1800+默認(rèn)外頻為133MHz、默認(rèn)倍頻為11.5，主頻為1.53G，由于Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了，只能通過(guò)提升外頻的方法超頻，假如將Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz，此時(shí)CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。
由于我們將CPU外頻提高到了166MHz，假如你使用的是DDR333以上規(guī)格內(nèi)存，那么將內(nèi)存頻率設(shè)置為166MHz屬于標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，但這里使用的是DDR266內(nèi)存，為了滿足CPU超頻需求，內(nèi)存也必須由原來(lái)的DDR266（133MHz）超頻到DDR333（166MHz）使用。具體方法是進(jìn)入BIOS設(shè)置，找到“Advanced Chipset Features” 選項(xiàng)，然后會(huì)看到一個(gè)“DRAM Clock”選項(xiàng)，將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到這里并回車，然后會(huì)出現(xiàn)內(nèi)存頻率設(shè)置選項(xiàng)，在這里我們選擇“166MHz”并回車，保存設(shè)置并退出即實(shí)現(xiàn)了內(nèi)存同步超頻。
2．內(nèi)存異步超頻
在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運(yùn)行速度與CPU外頻相同。而內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz或3:4、4:5（內(nèi)存:外頻）的頻率上，這樣可以緩解超頻時(shí)經(jīng)常受限于內(nèi)存的“瓶頸”。
對(duì)于支持SDRAM內(nèi)存的老主板而言（如815系列），在支持內(nèi)存異步的主板BIOS中，可以在“DRAM Clock”下找到“Host Clock”、“Hclk-33M”、“Hclk+33M”三個(gè)模式。其中Host Clock為總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步，Hclk-33M表示總線頻率減少33M，而Hclk+33M可以使內(nèi)存的工作頻率比系統(tǒng)外頻高出33MHz，比如將賽揚(yáng)1.0G外頻從100MHz超到125MHz，而你的內(nèi)存為PC133規(guī)格（即標(biāo)準(zhǔn)外頻為133MHz），此時(shí)在BIOS的“DRAM Clock”下選擇“Hclk+33M”，可以讓賽揚(yáng)1.0G工作在125MHz外頻下，而內(nèi)存卻可以在133MHz頻率下運(yùn)行，充分挖掘內(nèi)存的超頻潛力并提升系統(tǒng)性能。
而對(duì)于支持DDR內(nèi)存的老主板而言（如845G芯片組），Intel規(guī)定845G只支持DDR266（133MHz×2）內(nèi)存，不過(guò)有的品牌845G主板在BIOS中加入內(nèi)存異步功能（比如微星845G MAX），在BIOS中按照4:5的比例進(jìn)行設(shè)置，可以讓內(nèi)存運(yùn)行在166MHz，從而支持DDR333（166MHz×2），并使內(nèi)存帶寬提升到2.66GB/s。具體操作方式是：進(jìn)入BIOS設(shè)置中，進(jìn)入“Advanced Chipset Features”的“DRAM Timing Setting”選項(xiàng)，然后進(jìn)入“DRAM Frequency（內(nèi)存頻率）”選項(xiàng)，在這里可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHz Auto等選項(xiàng)，我們直接選中“320MHz”即可。
3．增加電壓幫助超頻
內(nèi)存頻率提升了，所以內(nèi)存功耗也隨之增加，但在默認(rèn)情況下，主板BIOS中內(nèi)存電壓參數(shù)是被設(shè)置為內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)頻率的數(shù)值，通常來(lái)說(shuō)，為了確保內(nèi)存超頻的穩(wěn)定性，我們需要增加內(nèi)存電壓，很多主板BIOS設(shè)置中都提供了內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)功能，同時(shí)內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)級(jí)別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調(diào)節(jié)，內(nèi)存電壓參數(shù)調(diào)節(jié)越細(xì)微，對(duì)超頻越有幫助。
調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓的方式是進(jìn)入“Advanced Chipset Features”選項(xiàng)，然后將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到“Current Voltage”上，在這里我們看到，該主板內(nèi)存電壓分了好幾段，電壓調(diào)節(jié)范圍從1.60V～2.70V，每相鄰的兩項(xiàng)之間的差值為0.1V，我們使用鍵盤上的向上鍵增加電壓，每按一次增加0.1V電壓。需要注意的是，超頻時(shí)不要一次將內(nèi)存電壓提升太高，首先提升0.1V電壓，然后保存退出，進(jìn)入WINDOWS系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存進(jìn)行性能測(cè)試，如果很穩(wěn)定，可以重新進(jìn)入BIOS中再次將內(nèi)存電壓提升0.1V，依次類推，直到自己滿意為止。