靶材的制作工藝
磁控濺射靶材
1）磁控濺射原理：
在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還可進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振(ECR）型微波等離子體濺射。
2）磁控濺射靶材種類：
金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化銦靶材（InP），砷化鉛靶材（PbAs），砷化銦靶材（InAs）。
你能不能給我普及一下什么是ITO靶材呢?我想弄懂它的生產需要些什么、為什么需要,以及….
ITO靶材就是氧化銦錫合成陶瓷靶材,用于做導電薄膜材料!
靶材是什么
靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。
鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。
材質分類：
⒈金屬靶材
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。
⒉陶瓷靶材
ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。
⒊合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、 鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。
百度百科http://baike.baidu.com/view/601854.htm
太陽能薄膜電池的靶材原料技術問題
1.現在又兩種方法來生產靶材,一是噴涂法,二是燒結法 ZnO和Al為原料是制備太陽能電池前電極所需的TCO玻璃所用的靶材,常規摻鋁量有1%,1.5% 和2% 2.現在國內的靶材,最主要的缺陷大概就是綁定靶材的燒結質量問題,在進行高溫濺射時會發生靶材的裂開,及外層靶材與靶管脫落.使得綁定材料氧化銦污染真空腔體. 3,這就不曉得了!
銦靶材(ITO粉)是什么
氧化銦銻.
關于濺射靶材，鍍膜材料類的產品 ，剛開始接觸，如何熟悉產品 ，從哪方面了解？
磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式，較之較早點的蒸發鍍膜方式，其很多方面的優勢相當明顯。作為一項已經發展的較為成熟的技術，磁控濺射已經被應用于許多領域。
對于蒸發鍍膜:一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。厚度均勻性主要取決于： 1。基片材料與靶材的晶格匹配程度.2、基片表面溫度 3. 蒸發功率，速率 4. 真空度 5. 鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。晶向均勻性：1。晶格匹配度 2。 基片溫度 3。蒸發速率 .
要想熟悉產品，必須熟悉原理，原理如下：
磁控濺射原理：在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還司進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。
具體情況要親手操作才能了解，希望能采納?。?/p>
ito靶材是什么
ITO靶材是高純三氧化二銦和二氧化錫粉末按照重量比9/1或95/5(最常用)混合均勻后,加壓燒結成陶瓷片狀,再加工成靶材成品,用作濺射鍍制TCO透明導電薄膜,由于氧化銦價格較高,所以ITO靶材價格也較高
請問PVD的工藝是 什么？
1. PVD簡介
PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理氣相沉積）的縮寫，是指在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發并使被蒸發物質與氣體都發生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發物質及其反應產物沉積在工件上。
2. PVD技術的發展
PVD技術出現于二十世紀七十年代末，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數、很好的耐磨性和化學穩定性等優點。最初在高速鋼刀具領域的成功應用引起了世界各國制造業的高度重視，人們在開發高性能、高可靠性涂層設備的同時，也在硬質合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的涂層應用研究。與CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響；薄膜內部應力狀態為壓應力，更適于對硬質合金精密復雜刀具的涂層；PVD工藝對環境無不利影響，符合現代綠色制造的發展方向。目前PVD涂層技術已普遍應用于硬質合金立銑刀、鉆頭、階梯鉆、油孔鉆、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、異形刀具、焊接刀具等的涂層處理。
PVD技術不僅提高了薄膜與刀具基體材料的結合強度，涂層成分也由第一代的TiN發展為TiC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta－C等多元復合涂層。
3. 星弧涂層的PVD技術
增強型磁控陰極?。宏帢O弧技術是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優異。
過濾陰極弧：過濾陰極電弧(FCA )配有高效的電磁過濾系統，可將離子源產生的等離子體中的宏觀粒子、離子團過濾干凈，經過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過濾掉大顆粒， 因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結合力很強。
磁控濺射：在真空環境下，通過電壓和磁場的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜。根據使用的電離電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射。
離子束DLC：碳氫氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過調整加在等離子體上的電壓來控制。碳氫離子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧涂層的離子束源采用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術的主要優點在于可沉積超薄及多層結構，工藝控制精度可達幾個埃，并可將工藝過程中的顆料污染所帶來的缺陷降至最小。
什么叫靶材?電容觸摸屏的靶材主要是什么?
電容觸摸屏用的鍍膜基板是用磁控濺射工藝制造的. 在磁控濺射制程中用到的鍍膜材料稱為靶材. 用作電容觸摸屏的靶材一般有:InSn,Si,Ag,Al,Mo等
PVD電鍍工藝是怎么樣的一個過程?
UV底漆1、工藝流程 前處理→除油→除塵→噴涂UV底漆→流平→紫外線固化→鍍膜工序→噴涂UV面漆→流平→紫外光固化→包裝2、施工條件: 1 除塵:用壓縮空氣將工件吹干凈,場地使用前用濕拖布拖凈除塵,保證整個工作場地無塵粒. 2 噴漆:選用霧化好的噴槍,厚薄均勻噴涂,注意不要少噴、漏噴,以免出現潤濕不良的縮孔和涂膜太薄的桔皮現象. 3 固化:將工件送至固化機進行固化,生產過程中,要經常觀察紫外燈工作狀態,必須保證每盞燈正常工作. 4 送至鍍膜:在鍍膜之前的運送過程中必須保證不得有塵粒、水霧等雜質沾上,確保工作表面干凈. 5 噴涂UV面漆,然后固化,檢測合格后包裝.