光刻技術的原理是什么？
光刻工藝是利用類似照相制版的原理，在半導體晶片表面的掩膜層上面刻蝕精細圖形的表面加工技術。也就是使用可見光和紫外光線把電路圖案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再經過蝕刻工藝去除無用部分，所剩就是電路本身了。光刻工藝的流程中有制版、硅片氧化、涂膠、曝光、顯影、腐蝕、去膠等。
光刻是制作半導體器件和集成電路的關鍵工藝。自20世紀60年代以來，都是用帶有圖形的掩膜覆蓋在被加工的半導體芯片表面，制作出半導體器件的不同工作區。隨著集成電路所包含的器件越來越多，要求單個器件尺寸及其間隔越來越小，所以常以光刻所能分辨的最小線條寬度來標志集成電路的工藝水平。國際上較先進的集成電路生產線是1微米線，即光刻的分辨線寬為1微米。日本兩家公司成功地應用加速器所產生的同步輻射X射線進行投影式光刻，制成了線寬為0.1微米的微細布線，使光刻技術達到新的水平。
紫外光負膠的顯影液和清洗液的成分是什么
半導體工藝——光刻 紫外負性光刻膠 顯影液:二甲苯.清洗液:乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯. 顯影中的常見問題: a、顯影不完全(Incomplete Development).表面還殘留有光刻膠.由顯影液不足造成. b、顯影不夠(Under Development).顯影的側壁不垂直.由顯影時間不足造成. c、過度顯影(Over Development).靠近表面的光刻膠被顯影液過度溶解,形成臺階.由顯影時間太長造成.
聞起來像煮玉米1樣的味道的廢氣有甚么成份?
這類氣味主要是在將玻璃基板上的光刻膠用剝離液進行剝離進程中產生的.
光刻膠 正膠150度烘烤還可以去除么
可以啊,一般正膠比負膠好清洗啊.可以用異丙醇或者丙酮超聲清洗.實在不行用濃NaOH.
剝離液除了在TFT – LCD,PCB,CF中的應用,還有哪些方面?
Stripper液嗎?只要半導體都會用到啊,光阻的剝離都會用stripper液
想DIY液晶顯示器需要寫什么配件了
大概就是這樣完成的:一．工藝流程簡述：
前段工位：
ITO 玻璃的投入（grading）—— 玻璃清洗與干燥（CLEANING）——涂光刻膠（PR COAT）——前烘烤（PREBREAK）——曝光（DEVELOP） 顯影（MAIN CURE）——蝕刻（ETCHING）—— 去膜（STRIP CLEAN）—— 圖檢（INSP）——清洗干燥（CLEAN）——TOP 涂布（TOP COAT）——
UV 烘烤（UV CURE）—— 固化（MAIN CURE）——清洗（CLEAN）—— 涂取向劑（PI PRINT）——固化（MAIN CURE）—— 清洗（CLEAN）——絲網印刷（SEAL/SHORT PRINTING）—— 烘烤（CUPING FURNACE）—— 噴襯墊料（SPACER SPRAY）—— 對位壓合（ASSEMBLY）—— 固化（SEAL MAIN CURING）
1． ITO 圖形的蝕刻：（ITO 玻璃的投入到圖檢完成）
A． ITO 玻璃的投入：根據產品的要求，選擇合適的ITO 玻璃裝入傳遞籃具中，要求ITO 玻璃的規格型號符合產品要求，切記ITO 層面一定要向上插入籃具中。
B． 玻璃的清洗與干燥： 將用清洗劑以及去離子水（DI 水）等洗凈ITO 玻璃，并用物理或者化學的方法將ITO 表面的雜質和油污洗凈，然后把水除去并干燥，保證下道工藝的加工質量。
C． 涂光刻膠： 在ITO 玻璃的導電層面上均勻涂上一層光刻膠，涂過光刻膠的玻璃要在一定的溫度下作預處理：（如下圖）
D． 前烘：在一定的溫度下將涂有光刻膠的玻璃烘烤一段時間，以使光刻膠中的溶劑揮發，增加與玻璃表面的粘附性。
E． 曝光：用紫外光（UV）通過預先制作好的電極圖形掩模版照射光刻膠表面，使被照光刻膠層發生反應，在涂有光刻膠的玻璃上覆蓋光刻掩模版在紫外燈下對光刻膠進行選擇性曝光：（如圖所示）
F． 顯影：用顯影液處理玻璃表面，將經過光照分解的光刻膠層除去，保留未曝光部分的光刻膠層，用化學方法使受UV 光照射部分的光刻膠溶于顯影液中，顯影后的玻璃要經過一定的溫度的堅膜處理。（如圖：）
G． 堅膜：將玻璃再經過一次高溫處理，使光刻膠更加堅固。
H． 刻蝕：用適當的酸刻液將無光刻膠覆蓋的ITO 膜蝕掉，這樣就得到了所需要的ITO 電極圖形，如圖所示：
注：ITO 玻璃為（In2O3 與SnO2）的導電玻璃，此易與酸發生反應，而用于蝕刻掉多余的ITO，從而得到相應的拉線電極。
I． 去膜：用高濃度的堿液（NaOH 溶液）作脫膜液，將玻璃上余下的光刻膠剝離掉，從而使ITO 玻璃上形成與光刻掩模版完全一致的ITO 圖形。（即按客戶要求進行顯示的部分拉線蝕刻完成，如圖）
J． 清洗干燥：用高純水沖洗余下的堿液和殘留的光刻膠以及其它的雜質。
2． 特殊制程：（TOP 膜的涂布到固化后清洗）
一般的TN 與STN 產品不要求此步驟，TOP 膜的涂布工藝是在光刻工藝之后再做一次SiO2 的涂布，以此把刻蝕區與非刻蝕區之間的溝槽填平并把電極覆蓋住，這既可以起到絕緣層的作用，又能有效地消除非顯示狀態下的電極底影，還有助于改善視角特性等等，因此大部分的高檔次產品要求有TOP 涂布。
3． 取向涂布（涂取向劑到清洗完成）
此步工藝為在蝕刻完成的ITO 玻璃表面涂覆取向層，并用特定的方法對限向層進行處理，以使液晶分子能夠在取向層表面沿特定的方向取向（排列），此步驟是液晶顯示器生產的特有技術。
A． 涂取向劑：將有機高分子取向材料涂布在玻璃的表面，即采用選擇涂覆的方法，在ITO 玻璃上的適當位置涂一層均勻的取向層，同時對取向層做固化處理。（一般在顯示區）
B． 固化： 通過高溫處理使取向層固化。
C． 取向摩擦：用絨布類材料以特定的方向摩擦取向層表面，以使液晶分子將來能夠沿著取向層的摩擦方向排列。如TN 型號摩擦取向：45 度
D． 清洗： 取向摩擦后的玻璃上會留下絨布線等污染物，需要采取特殊的清洗步驟來消除污染物。
4． 空盒制作：（絲網印刷到固化）
此步工藝是把兩片導電玻璃對疊，利用封接材料貼合起來并固化，制成間隙為特定厚度的玻璃盒。制盒技術是制造液晶顯示器的最為關鍵的技術之一。（必須嚴格控制液晶盒的間距）
A． 絲印邊框及銀點：將封接材料（封框膠）用絲網印刷的方法分別對上板印上邊框膠和和下板玻璃印是導電膠。
B． 噴襯墊料： 在下玻璃上均勻分布支撐材料。將一定尺寸的襯墊料（一般為幾個微米）均勻分散在玻璃表面，制盒時就靠這些材料保證玻璃之間的間距即盒厚。
C． 對位壓合： 按對位標記上與下玻璃對位粘合，將對應的兩片玻璃面對面用封接材料粘合起來。
D． 固化： 在高溫下使封接材料固化。固化時一般在上下玻璃上加上一定的壓力，以使液晶盒間距（厚度保持均勻）。
后段工位：
切割（SCRIBING）—— Y 軸裂片（BREAK OFF）—— 灌注液晶（LC INJECTION）—— 封口（END SEALING）——X 軸裂片（BREAK OFF）—— 磨邊—— 一次清洗（CLEAN） ——再定向（HEATING） ——光臺目檢（VISUAL INSP）—— 電測圖形檢驗（ELECTRICAL）——二次清洗（CLEAN）—— 特殊制程（POLYGON）——背印（BACK PRINTING）—— 干墨（CURE）—— 貼片（POLARIZER ASSEMBLY）—— 熱壓（CLEAVER）—— 成檢外觀檢判（FQC） ——上引線（BIT PIN）—— 終檢（FINAL INSP）——包裝（PACKING）—— 入庫（IN STOCK）
兄弟;目的何在啊?????
光阻剝離液注冊商標屬于哪一類？
光阻剝離液屬于商標分類第1類0104群組；
經路標網統計，注冊光阻剝離液的商標達1件。
注冊時怎樣選擇其他小項類：
1.選擇注冊（光阻劑，群組號：0104）類別的商標有1件，注冊占比率達100%
2.選擇注冊（光阻清洗劑，群組號：0104）類別的商標有1件，注冊占比率達100%
3.選擇注冊（工業用光阻化學制劑，群組號：0104）類別的商標有1件，注冊占比率達100%
4.選擇注冊（工業用光阻化學原料，群組號：0104）類別的商標有1件，注冊占比率達100%
5.選擇注冊（工業用顯影液，群組號：0104）類別的商標有1件，注冊占比率達100%
6.選擇注冊（工業用洗凈劑，群組號：0104）類別的商標有1件，注冊占比率達100%
7.選擇注冊（化學試劑(非醫用或獸醫用)，群組號：0106）類別的商標有1件，注冊占比率達100%
計算器的顯示器有什么顯示的也有什么
液晶顯示器(lcd)是基于液晶電光效應的顯示器件。包括段顯示方式的字符段顯示器件；矩陣顯示方式的字符、圖形、圖像顯示器件；矩陣顯示方式的大屏幕液晶投影電視液晶屏等。液晶顯示器的工作原理是利用液晶的物理特性，在通電時導通，使液晶排列變得有秩序，使光線容易通過；不通電時，排列則變得混亂，阻止光線通過。一．工藝流程簡述：
前段工位：
ITO 玻璃的投入（grading）—— 玻璃清洗與干燥（CLEANING）——涂光刻膠（PR COAT）——前烘烤（PREBREAK）——曝光（DEVELOP） 顯影（MAIN CURE）——蝕刻（ETCHING）—— 去膜（STRIP CLEAN）—— 圖檢（INSP）——清洗干燥（CLEAN）——TOP 涂布（TOP COAT）——
UV 烘烤（UV CURE）—— 固化（MAIN CURE）——清洗（CLEAN）—— 涂取向劑（PI PRINT）——固化（MAIN CURE）—— 清洗（CLEAN）——絲網印刷（SEAL/SHORT PRINTING）—— 烘烤（CUPING FURNACE）—— 噴襯墊料（SPACER SPRAY）—— 對位壓合（ASSEMBLY）—— 固化（SEAL MAIN CURING）
1． ITO 圖形的蝕刻：（ITO 玻璃的投入到圖檢完成）
A． ITO 玻璃的投入：根據產品的要求，選擇合適的ITO 玻璃裝入傳遞籃具中，要求ITO 玻璃的規格型號符合產品要求，切記ITO 層面一定要向上插入籃具中。
B． 玻璃的清洗與干燥： 將用清洗劑以及去離子水（DI 水）等洗凈ITO 玻璃，并用物理或者化學的方法將ITO 表面的雜質和油污洗凈，然后把水除去并干燥，保證下道工藝的加工質量。
C． 涂光刻膠： 在ITO 玻璃的導電層面上均勻涂上一層光刻膠，涂過光刻膠的玻璃要在一定的溫度下作預處理：（如下圖）
D． 前烘：在一定的溫度下將涂有光刻膠的玻璃烘烤一段時間，以使光刻膠中的溶劑揮發，增加與玻璃表面的粘附性。
E． 曝光：用紫外光（UV）通過預先制作好的電極圖形掩模版照射光刻膠表面，使被照光刻膠層發生反應，在涂有光刻膠的玻璃上覆蓋光刻掩模版在紫外燈下對光刻膠進行選擇性曝光：（如圖所示）
F． 顯影：用顯影液處理玻璃表面，將經過光照分解的光刻膠層除去，保留未曝光部分的光刻膠層，用化學方法使受UV 光照射部分的光刻膠溶于顯影液中，顯影后的玻璃要經過一定的溫度的堅膜處理。（如圖：）
G． 堅膜：將玻璃再經過一次高溫處理，使光刻膠更加堅固。
H． 刻蝕：用適當的酸刻液將無光刻膠覆蓋的ITO 膜蝕掉，這樣就得到了所需要的ITO 電極圖形，如圖所示：
注：ITO 玻璃為（In2O3 與SnO2）的導電玻璃，此易與酸發生反應，而用于蝕刻掉多余的ITO，從而得到相應的拉線電極。
I． 去膜：用高濃度的堿液（NaOH 溶液）作脫膜液，將玻璃上余下的光刻膠剝離掉，從而使ITO 玻璃上形成與光刻掩模版完全一致的ITO 圖形。（即按客戶要求進行顯示的部分拉線蝕刻完成，如圖）
J． 清洗干燥：用高純水沖洗余下的堿液和殘留的光刻膠以及其它的雜質。
2． 特殊制程：（TOP 膜的涂布到固化后清洗）
一般的TN 與STN 產品不要求此步驟，TOP 膜的涂布工藝是在光刻工藝之后再做一次SiO2 的涂布，以此把刻蝕區與非刻蝕區之間的溝槽填平并把電極覆蓋住，這既可以起到絕緣層的作用，又能有效地消除非顯示狀態下的電極底影，還有助于改善視角特性等等，因此大部分的高檔次產品要求有TOP 涂布。
3． 取向涂布（涂取向劑到清洗完成）
此步工藝為在蝕刻完成的ITO 玻璃表面涂覆取向層，并用特定的方法對限向層進行處理，以使液晶分子能夠在取向層表面沿特定的方向取向（排列），此步驟是液晶顯示器生產的特有技術。
A． 涂取向劑：將有機高分子取向材料涂布在玻璃的表面，即采用選擇涂覆的方法，在ITO 玻璃上的適當位置涂一層均勻的取向層，同時對取向層做固化處理。（一般在顯示區）
B． 固化： 通過高溫處理使取向層固化。
C． 取向摩擦：用絨布類材料以特定的方向摩擦取向層表面，以使液晶分子將來能夠沿著取向層的摩擦方向排列。如TN 型號摩擦取向：45 度
D． 清洗： 取向摩擦后的玻璃上會留下絨布線等污染物，需要采取特殊的清洗步驟來消除污染物。
4． 空盒制作：（絲網印刷到固化）
此步工藝是把兩片導電玻璃對疊，利用封接材料貼合起來并固化，制成間隙為特定厚度的玻璃盒。制盒技術是制造液晶顯示器的最為關鍵的技術之一。（必須嚴格控制液晶盒的間距）
A． 絲印邊框及銀點：將封接材料（封框膠）用絲網印刷的方法分別對上板印上邊框膠和和下板玻璃印是導電膠。
B． 噴襯墊料： 在下玻璃上均勻分布支撐材料。將一定尺寸的襯墊料（一般為幾個微米）均勻分散在玻璃表面，制盒時就靠這些材料保證玻璃之間的間距即盒厚。
C． 對位壓合： 按對位標記上與下玻璃對位粘合，將對應的兩片玻璃面對面用封接材料粘合起來。
D． 固化： 在高溫下使封接材料固化。固化時一般在上下玻璃上加上一定的壓力，以使液晶盒間距（厚度保持均勻）。
后段工位：
切割（SCRIBING）—— Y 軸裂片（BREAK OFF）—— 灌注液晶（LC INJECTION）—— 封口（END SEALING）——X 軸裂片（BREAK OFF）—— 磨邊—— 一次清洗（CLEAN） ——再定向（HEATING） ——光臺目檢（VISUAL INSP）—— 電測圖形檢驗（ELECTRICAL）——二次清洗（CLEAN）—— 特殊制程（POLYGON）——背印（BACK PRINTING）—— 干墨（CURE）—— 貼片（POLARIZER ASSEMBLY）—— 熱壓（CLEAVER）—— 成檢外觀檢判（FQC） ——上引線（BIT PIN）—— 終檢（FINAL INSP）——包裝（PACKING）—— 入庫（IN STOCK
計算器的顯示屏是什么類型,是什么?
液晶LCD LED而已,初級的LCD
在半導體技術中lithography 是什么意思，怎么翻譯
lithography是一種平板印刷技術，在平面光波回路的制作中一直發揮著重要的作用。具體過程如下：
首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；
使用掩模版對光刻膠曝光固化，并在光刻膠層上形成固化的與掩模板完全對應的幾何圖形；
對光刻膠上圖形顯影，與掩模對應的光刻膠圖形可以使芯層材料抵抗刻蝕過程；
使用等離子交互技術，將二氧化硅刻蝕成與光刻膠圖形對應的芯層形狀；
光刻膠層剝離；
最后在已經形成的芯層圖形上面淀積上包層。
使用lithography方法幾乎可以在芯層材料上形成各種幾何圖形，圖形的精細度取決于曝光系統的光源波長，現有UV、DUV、e-beam、x-ray、nano-imprint幾種曝光方式。