光刻膠是什么東西?
光刻膠又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料. 光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類.在光刻膠工藝過程中,涂層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來,該涂層材料為正性光刻膠.如果曝光部分被保留下來,而未曝光被溶解,該涂層材料為負性光刻膠.按曝光光源和輻射源的不同,又分為紫外光刻膠(包括紫外正、負性光刻膠)、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等.光刻膠主要應用于顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業.光刻膠生產技術較為復雜,品種規格較多,在電子工業集成電路的制造中,對所使用有嚴格的要求.
x射線光刻的光刻膠是甚么
光刻膠英文是PhotoResist，又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑3種主要成份組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經光照后，在暴光區能很快地產生光固化反應，使得這類材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等產生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部份，得到所需圖象（見圖）。 光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造和印刷制版等進程。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后構成不可溶物資的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物資的即為正性膠。利用這類性能，將光刻膠作涂層，就可以在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為3種類型。①光聚合型，采取烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進1步引發單體聚合，最后生成聚合物，具有構成正像的特點。②光分解型，采取含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后,會產生光分解反應,由油溶性變成水溶性，可以制成正性膠。③光交聯型，采取聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其份子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間產生交聯，構成1種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是1種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。 感光樹脂在用近紫外光輻照成像時，光的波長會限制分辨率（見感光材料）的提高。為進1步提高分辨率以滿足超大范圍集成電路工藝的要求，必須采取波長更短的輻射作為光源。由此產生電子束、X射線和深紫外(＜250nm)刻蝕技術和相應的電子束刻蝕膠，X射線刻蝕膠和深紫外線刻蝕膠，所刻蝕的線條可細至1μm以下。
什么是光刻膠以及光刻膠的種類
光刻膠是一種有機化合物，它受紫外光曝光后，在顯影液中的溶解度會發生變化。一般光刻膠以液態涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固態。 1、光刻膠的作用： a、將掩膜板上的圖形轉移到硅片表面的氧化層中； b、在后續工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。2、光刻膠的物理特性參數： a、分辨率（resolution）。區別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。 b、對比度（Contrast）。指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。 c、敏感度（Sensitivity）。光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能量值（或最小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。 d、粘滯性/黏度（Viscosity）。衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻膠的密度的指標。它與光刻膠中的固體含量有關。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體，粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位：泊（poise），光刻膠一般用厘泊（cps，厘泊為1%泊）來度量。百分泊即厘泊為絕對粘滯率；運動粘滯率定義為：運動粘滯率=絕對粘滯率/比重。單位：百分斯托克斯（cs）＝cps/SG。 e、粘附性（Adherence）。表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住后續工藝（刻蝕、離子注入等）。 f、抗蝕性（Anti-etching）。光刻膠必須保持它的粘附性，在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。 g、表面張力（Surface Tension）。液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。 h、存儲和傳送（Storage and Transmission）。能量（光和熱）可以激活光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環境。一旦超過存儲時間或較高的溫度范圍，負膠會發生交聯，正膠會發生感光延遲。3、光刻膠的分類 a、根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類：負性光刻膠和正性光刻膠。 負性光刻膠（Negative Photo Resist）。最早使用，一直到20世紀70年代。曝光區域發生交聯，難溶于顯影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻擋作用、感光速度快；顯影時發生變形和膨脹。所以只能用于2μm的分辨率。 正性光刻膠（Positive Photo Resist）。20世紀70年代，有負性轉用正性。正性光刻膠的曝光區域更加容易溶解于顯影液。特性：分辨率高、臺階覆蓋好、對比度好；粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。 b、根據光刻膠能形成圖形的最小光刻尺寸來分：傳統光刻膠和化學放大光刻膠。 傳統光刻膠。適用于I線（365nm）、H線（405nm）和G線（436nm），關鍵尺寸在0.35μm及其以上。 化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）。適用于深紫外線（DUV）波長的光刻膠。KrF（248nm）和ArF（193nm）。4、光刻膠的具體性質 a、傳統光刻膠：正膠和負膠。光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質（如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等）；感光劑，感光劑對光能發生光化學反應；溶劑（Solvent），保持光刻膠的液體狀態，使之具有良好的流動性；添加劑（Additive），用以改變光刻膠的某些特性，如改善光刻膠發生反射而添加染色劑等。 負性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯，一種天然的橡膠；溶劑是二甲苯；感光劑是一種經過曝光后釋放出氮氣的光敏劑，產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶于顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲；曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。 正性光刻膠。樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性，當沒有溶解抑制劑存在時，線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中；感光劑是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常見的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一種強烈的溶解抑制劑，降低樹脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻膠中化學分解，成為溶解度增強劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應會在DNQ中產生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很好的對比度，所以生成的圖形具有良好的分辨率。 b、化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）。樹脂是具有化學基團保護（t-BOC）的聚乙烯（PHS）。有保護團的樹脂不溶于水；感光劑是光酸產生劑（PAG，Photo Acid Generator），光刻膠曝光后，在曝光區的PAG發生光化學反應會產生一種酸。該酸在曝光后熱烘（PEB，Post Exposure Baking）時，作為化學催化劑將樹脂上的保護基團移走，從而使曝光區域的光刻膠由原來不溶于水轉變為高度溶于以水為主要成分的顯影液。化學放大光刻膠曝光速度非常
光刻膠~~光刻膠的概念是什么?
光刻膠
photoresist
又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增
感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液
體。感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化
反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合
性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部
分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像制版過程）。
光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制
版等過程。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學
反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照
后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不
可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這
種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的
電路圖形。基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為
三種類型。①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生
成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，最后生成聚
合物，具有形成正像的特點。②光分解型，采用含有疊
氮醌類化合物的材料，經光照后,會發生光分解反應,由
油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。③光交聯型，采
用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其
分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成
一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典
型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。
感光樹脂在用近紫外光輻照成像時，光的波長會限
制分辨率（見感光材料）的提高。為進一步提高分辨率
以滿足超大規模集成電路工藝的要求，必須采用波長更
短的輻射作為光源。由此產生電子束、X 射線和深紫外
(＜250nm)刻蝕技術和相應的電子束刻蝕膠，X射線刻蝕
膠和深紫外線刻蝕膠，所刻蝕的線條可細至1□m以下。
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光刻膠在接受一定波長的光或者射線時,會相應的發生一種光化學反應或者激勵作用。光化學反應中的光吸收是在化學鍵合中起作用的處于原子最外層的電子由基態轉入激勵態時引起的。對于有機物，基態與激勵態的能量差為3~6eV，相當于該能量差的光(即波長為0.2~0.4μm的光)被有機物強烈吸收，使在化學鍵合中起作用的電子轉入激勵態。化學鍵合在受到這種激勵時，或者分離或者改變鍵合對象，發生化學變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質后，因與物質具有的電子相互作用，能量逐漸消失。電子束失去的能量轉移到物質的電子中，因此生成激勵狀態的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發光刻膠的化學反應。
光刻膠是一種應用廣泛的光敏材料，其合成路線如下（部分試劑和產物略去）： 已知：Ⅰ． （R，R’為烴基
（1）醛基
（2）CH 3 COOH
CH 3 COO – +H +
（3）a b c（選對兩個給1分，錯選或多選為0分）
（4）
（5）CH 3 COOCH=CH 2
（6）
、
（7）
一定條件
（此方程式不寫條件不扣分）
試題分析：根據D，可以反推出A為
，B為
，C為
，羧酸X為CH 3 COOH，E為
，F為
；
（1）
分子中含氧官能團名稱為醛基
（2）羧酸CH 3 COOH的電離方程式為CH 3 COOH
CH 3 COO – +H +
（3）
含有碳碳雙鍵，羧基，苯環，可發生的反應類型為加聚反應，酯化反應，還原反應，不能發生縮聚反應。
（4）
與Ag(NH 3 ) 2 OH反應的化學方程式為
+
（5）E的結構簡式為CH 3 COOCH=CH 2 。
（6）與
具有相同官能團且含有苯環的同分異構體有4種，其結構簡式分別為
、
、
、
。
（7）D和G反應生成光刻膠的化學方程式為
一定條件
。
考點：
(8分)光刻膠是大規模集成電路、印刷電路板和激光制版技術中的關鍵材料.某一肉桂酸型光刻膠的主要成分A
(1) (1分) n + → + nH 2 O (2分) (2)加成(1分) (3) + n NaOH → (2分) 或 + n NaOH → (4)酸性(與氫氧化鈉、碳酸氫鈉反應)、不飽和性 (與溴水、H 2 、酸性KMnO 4 溶液反應)(2分) (1)根據高聚物單體的推斷方法,很容易回答(1)題. (2)比較A和B結構的差異,可知是A中的C=C鍵斷開成環,這是一個加成反應. (3)根據聚酯水解的規律,可寫出本小題的化學方程式. (4) B在酸性條件下水解得到的芳香族化合物是 ,它的性質具有酸性和不飽和性.
聚酰亞胺薄膜的簡介
薄膜制備方法為：聚酰胺酸溶液流延成膜、拉伸后，高溫酰亞胺化。薄膜呈黃色透明，相對密度1.39～1.45，有突出的耐高溫、耐輻射、耐化學腐蝕和電絕緣性能，可在250～280℃空氣中長期使用。玻璃化溫度分別為280℃(Upilex R)、385℃(Kapton)和500℃以上(Upilex S)。20℃時拉伸強度為200MPa，200℃時大于100MPa。特別適宜用作柔性印制電路板基材和各種耐高溫電機電器絕緣材料。 光刻膠：某些聚酰亞胺還可以用作光刻膠。有負性膠和正性膠，分辨率可達亞微米級。與顏料或染料配合可用于彩色濾光膜，可大大簡化加工工序。 在微電子器件中的應用：用作介電層進行層間絕緣，作為緩沖層可以減少應力、提高成品率。作為保護層可以減少環境對器件的影響，還可以對a-粒子起屏蔽作用，減少或消除器件的軟誤差（soft error）。半導體工業使用聚酰亞胺作高溫黏合劑，在生產數字化半導體材料和MEMS系統的芯片時，由于聚酰亞胺層具有良好的機械延展性和拉伸強度，有助于提高聚酰亞胺層以及聚酰亞胺層與上面沉積的金屬層之間的粘合。 聚酰亞胺的高溫和化學穩定性則起到了將金屬層和各種外界環境隔離的作用。 液晶顯示用的取向排列劑：聚酰亞胺在TN-LCD、SHN-LCD、TFT-CD及未來的鐵電液晶顯示器的取向劑材料方面都占有十分重要的地位。 電-光材料：用作無源或有源波導材料光學開關材料等，含氟的聚酰亞胺在通訊波長范圍內為透明，以聚酰亞胺作為發色團的基體可提高材料的穩定性。 濕敏材料：利用其吸濕線性膨脹的原理可以用來制作濕度傳感器。
光刻膠就是ito導電膜嗎?那么沐里沐又是什么,起什么作用呢
光刻膠是光刻膠,ITO是ITO,兩回事.光刻膠(Photo resist,PR)是應用在光刻工藝中的,具備感光性,ITO(氧化銦錫)是電極材料,一般是在鍍膜工藝中沉積上去的. 沐里沐是鉬鋁鉬,是金屬電極的膜層材料. 在TFT制造中,鉬鋁鉬只是柵極源極最常見的材料而已,而柵極和源極是必要的.作為膜層材料,鍍膜肯定是一整層的,不過經過光刻和刻蝕工藝后,最終剩下的就是我們想要的圖案了.
從沙子到芯片，cpu是怎么制造的
從沙子到芯片，看看CPU是如何制造出來的
1、沙子 / 硅錠
硅是地殼中含量位居第二的元素。
常識：沙子含硅量很高。
硅 — 計算機芯片的原料 — 是一種半導體材料，也就是說通過摻雜，硅可以轉變成導電性良好的導體或絕緣體。
[注：半導體是導電性介于導體和絕緣體之間的一種材料。摻雜是一種手段，通常加入少量其它某種元素改變導電性。]
熔融的硅 — 尺寸：晶圓級 (~300毫米 / 12英寸)
為了能用于制造計算機芯片，硅必須被提純到很高的純度(10億個原子中至多有一個其它原子，也就是99.9999999%以上) 硅在熔融狀態被抽取出來后凝固，該固體是一種由單個連續無間斷的晶格點陣排列的圓柱，也就是硅錠。
單晶硅錠 — 尺寸：晶圓級(大約300毫米/12英寸) 硅錠的直徑大約300毫米，重約100千克。
單晶硅就是說整塊硅就一個晶體，我們日長生活中見到的金屬和非金屬單質或化合物多數以多晶體形態存在。
2、硅錠 / 晶圓
切割 — 尺寸：晶圓級(大約300毫米/12英寸)
硅錠被切割成單個的硅片，稱之為晶圓。每個晶圓的直徑為300毫米，厚度大約1毫米。
晶圓 – 尺寸：晶圓級(大約300毫米/12英寸)
晶圓拋光，直到無瑕，能當鏡子照。Intel從供貨商那里購買晶圓。目前晶圓的供貨尺寸比以往有所上長，而平均下來每個芯片的制造成本有所下降。目前供貨商提供的晶圓直徑300毫米，工業用晶圓有長到450毫米的趨勢。
在一片晶圓上制造芯片需要幾百個精確控制的工序，不同的材料上一層覆一層。
下面簡要介紹芯片的復雜制造過程中幾個比較重要的工序。
3、光刻
光刻膠的使用 — 尺寸：晶圓級(大約300毫米/12英寸)
光刻是用一種特殊的方法把某種圖像印到晶圓上的過程。開始時使用一種稱為光刻膠的液體，把它均勻的澆注到旋轉的晶圓上。光刻膠這個名字的來源于是這樣的，人們發現有一種物質對特定頻率的光敏感，它能夠抵御某種特殊化學物質的腐蝕，蝕刻中涂覆刻它可起到保護作用，蝕掉不想要的材質。
曝光 — 尺寸：晶圓級(大約300毫米/12英寸)
光刻膠硬化后，用一定頻率的紫外線照射后變得可溶。曝光過程需要用到膜片，膜片起到印模的作用，如此一來，只有曝光部分的光刻膠可溶。膜片的圖像(電路)印到了晶圓上。電路圖像要經過透鏡縮小，曝光設備在晶圓上來回移動多次，也就是說曝光多次后電路圖才能徹底印上去。
[注：跟古老的照相機底片的原理類似]
溶解光刻膠 — 尺寸：晶圓級(大約300毫米/12英寸)
通過化學過程溶解曝光的光刻膠，被膜片蓋住的光刻膠保留下來。
4、離子注入
離子注入 — 尺寸：晶圓級(大約300毫米/12英寸)
覆蓋著光刻膠的晶圓經過離子束(帶正電荷或負電荷的原子)轟擊后，未被光刻膠覆蓋的部分嵌入了雜質(高速離子沖進未被光刻膠覆蓋的硅的表面)，該過程稱為摻雜。由于硅里進入了雜質，這會改變某些區域硅的導電性(導電或絕緣，這依賴于使用的離子)。這里展示一下空洞(well)的制作，這些區域將會形成晶體管。
[注：據說這種用于注入的帶電粒子被電場加速后可達30萬千米/小時]
去除光刻膠— 尺寸：晶圓級(大約300毫米/12英寸)
離子注入后，光刻膠被清除，在摻雜區形成晶體管。
晶體管形成初期 — 尺寸：晶體管級(大約50～200納米)
圖中是放大晶圓的一個點，此處有一個晶體管。綠色區域代表摻雜硅。現在的晶圓會有幾千億個這樣的區域來容納晶體管。
5、刻蝕
刻蝕 — 尺寸：晶體管級(大約50～200納米)
為了給三門晶體管制造一個鰭片(fin)，上述光刻過程中，使用一種稱為硬膜片(藍色)的圖像材料。
然后用一種化學物質刻蝕掉不想要的硅，留下覆蓋著硬膜片的鰭片。
6、臨時門的形成
二氧化硅門電介質 — 尺寸：晶體管級(大約50～200納米)
在光刻階段，部分晶體管用光刻膠覆蓋，把晶圓插入到充滿氧的管狀熔爐中，產生一薄層二氧化硅(紅色)，這就造就了一個臨時門電介質。
多晶硅門電極 — 尺寸：晶體管級(大約50～200納米)
在光刻階段，制造一層多晶硅(黃色)，這就造就了一個臨時門電極。
絕緣 — 尺寸：晶體管級(大約50～200納米)
在氧化階段，整個晶圓的二氧化硅層(紅色透明)用于跟其它部分絕緣。
英特爾使用”最后門” (也稱為 “替代金屬門”)技術制作晶體管金屬門。這種做法的目的是確保晶體管不出現穩定性問題，否則高溫的工序會導致晶體管不穩定。
7、“最后門” 高K/金屬門的形成
[注：介電常數K為高還是低是相對的，但英特爾的標準跟業界不同，業界普遍采用IBM的標準，用低K介質能減少漏電流，但是加工困難，目前大規模數字電路多用高K介質。]
犧牲門的去除 — 尺寸：晶體管級(大約50～200納米)
用膜片工序里的做法，臨時(犧牲)門電極和門電介質被刻蝕掉。真實門現在就會形成了，因為第一門被去掉了，該工序稱為“最后門”。
高K電介質的使用 — 尺寸：晶體管級 (大約50～200納米)
在稱為”原子層”沉積的過程中，晶圓表面覆了一層分子。圖中黃色層代表這些層中的兩層。使用光刻技術，在不想要的區域(例如透明二氧化硅的上面)里，高K材質被刻蝕掉。
金屬門 — 尺寸：晶體管級 (大約50～200納米)
晶圓上形成金屬電極 (藍色)，不想要的區域用光刻的辦法刻蝕掉。 跟高K材料配合(薄薄的黃色層)起來使用，可以改善晶體管性能，減少漏電流的產生，這是使用傳統的二氧化硅 / 多晶硅門不能企及的。
8、金屬沉積
晶體管就緒 — 尺寸：晶體管級 (大約50～200納米)
晶體管的建造快竣工了。
晶體管上方的絕緣層刻蝕出3個小洞，這3個洞里被填充上銅或其它材質，以便跟別的晶體管導通。
[注：晶體管也就是通俗意義上的三極管，需要3個引線腳，所以一個晶體管的絕緣層上得刻蝕出3個小洞]
電鍍 — 尺寸：晶體管級 (大約50～200納米)
在該階段，晶圓浸在硫酸銅溶液里，作為陰極，銅離子從陽極出發到達陰極，最后銅離子會沉積在晶體管表面。
電鍍后序 — 尺寸：晶體管級 (大約50～200納米)
經過電鍍，銅離子在晶圓表面沉積下來形成薄薄的一層銅 。
9、金屬層
拋光 — 尺寸：晶體管級 (大約50～200納米)
多余的材質會被機械拋光，直到露出光亮的銅為止。
金屬層 — 尺寸：晶體管級(6個晶體管組合起來大約500納米)
構造多重金屬層以一種特殊的結構來導通(請考慮宏觀世界中的“導線”)晶體管，這些“導線”怎么連接，要由某個型號處理器(例如第2代英特爾Core I5處理器)的架構師和設計團隊來決定。
盡管計算機芯片看上去十分平整，其實可能會超過30層，是一個十分復雜的電路。 一個放大的芯片看上去是由電線和晶體管組成的錯綜復雜的網絡，該網絡看上去像將來某天地面上建造成的多層高速公路系統。
當所有的內層連通以后，每個die上都會被附上陣列焊盤，這些焊盤是芯片跟外面世界的電氣連接通道(圖中未畫出焊盤)。
[注：我們常說的22納米工藝就是指上述銅“導線”寬度，焊盤將來用于激光焊接CPU針腳或觸點。Die一直沒有對應的中文，但很多人都知道它是CPU的內部電路。]
晶圓分類 / 分離
晶圓分類 — 尺寸 die級 (大約10毫米 / 大約0.5英寸)
接觸晶圓上一些特別的點，逐個測試晶圓上的die的電氣參數，跟正確結果吻合的die算是通過。
尺寸：晶圓級(大約300毫米/12英寸)
晶圓被切割成很多小塊 (稱為die)上述的晶圓包含了處理器。
10、包裝
單個Die — 尺寸：die級 (大約10毫米/大約0.5英寸)
單個的die經過前面的工序后被切割成單件。這里顯示的是英特爾22納米微處理的代號Ivy Bridge的die。
打包 — 尺寸：包裝級 (大約20毫米 / 大約1英寸)
打包基板，die(電路部分)和導熱蓋粘在一起形成一個完整的處理器。綠色的基板具有電子和機械接口跟PC系統的其它部分通信。銀色的導熱蓋可以跟散熱器接觸散發CPU產生的熱量。
處理器 — 尺寸：包裝級 (大約20毫米 / 大約1英寸)
完整的微處理器 (Ivy Bridge) 被稱為人類制造出的最復雜的產品。實際上，處理器需要幾百個工序來完成—上述僅僅介紹了最重要的工序— 是在世界上最潔凈的環境 下(微處理器工廠里) 完成的。
[注，粉塵會導致電路短路，制造精密的電路必須在無塵的環境下進行。例如，目前計算機主板要求的無塵環境是1萬等級，也就是說平均1萬立方米空氣中不得多于1粒粉塵。CPU電路更加精細，對無塵環境要求會更高]
11、級別測試 / 完整的處理器
級別測試 — 尺寸：包裝級 (大約20毫米 / 大約1英寸)
在這個最后的測試階段，處理器要經過全面的測試，包括功能，性能，功耗。
篩選 — 尺寸：包裝級 (大約20毫米 / 大約1英寸)
根據測試結果篩選，性能相同的處理器放一起，一個托盤一個托盤的存放，然后發給客戶。
零售包裝 — 尺寸：包裝級 (大約20毫米 / 大約1英寸)
生產和測試好的處理器供給系統制造商或以盒包的形式進入零售市場。
[注：從這一步容易了解到，盒包與散片質量無任何差別，在Intel看來，同一系列同一主頻的U體制差別很小。]