半導體封裝測試方面,都需要用到哪些設備
1. 基本封裝設備: B/G: 磨片 lamination:貼膜 DA: 貼片 W/B:打線 Mold:塑封 marking:打印 S/G:切割 2. 基本測試設備: B/I 設備: 對產品進行信賴性評價 test設備: 對產品進行電性測試; LIS: 對產品外觀進行檢查
電子封裝測試是什么?
電子封裝測試指的是對電子封裝產品進行相應的檢測,從而查找故障并予以解決.方法主要是把產品中模塊進行對應的引到其他的電子芯片上,然后對每個模塊進行檢查,直到找到故障的模塊并查找原因.這是對故障產品進行檢測,另外對封裝產品的可靠性檢測是采用相應的檢測設備對產品進行物理撞擊,化學腐蝕,惡劣環境的適應等等來判斷電子封裝產品的可靠安全性.
芯片封裝的主要步驟是什么啊？
板上芯片（Chip On Board, COB)工藝過程首先是在基底表面用導熱環氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環氧樹脂)覆蓋硅片安放點，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。
裸芯片技術主要有兩種形式：一種是COB技術，另一種是倒裝片技術（Flip Chip）。板上芯片封裝（COB），半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術。
COB主要的焊接方法：
（1）熱壓焊
利用加熱和加壓力使金屬絲與焊區壓焊在一起。其原理是通過加熱和加壓力，使焊區（如AI）發生塑性形變同時破壞壓焊界面上的氧化層，從而使原子間產生吸引力達到“鍵合”的目的，此外，兩金屬界面不平整加熱加壓時可使上下的金屬相互鑲嵌。此技術一般用為玻璃板上芯片COG。
（2）超聲焊
超聲焊是利用超聲波發生器產生的能量，通過換能器在超高頻的磁場感應下，迅速伸縮產生彈性振動，使劈刀相應振動，同時在劈刀上施加一定的壓力，于是劈刀在這兩種力的共同作用下，帶動AI絲在被焊區的金屬化層如（AI膜）表面迅速摩擦，使AI絲和AI膜表面產生塑性變形，這種形變也破壞了AI層界面的氧化層，使兩個純凈的金屬表面緊密接觸達到原子間的結合，從而形成焊接。主要焊接材料為鋁線焊頭，一般為楔形。
（3）金絲焊
球焊在引線鍵合中是最具代表性的焊接技術，因為現在的半導體封裝二、三極管封裝都采用AU線球焊。而且它操作方便、靈活、焊點牢固（直徑為25UM的AU絲的焊接強度一般為0.07～0.09N/點），又無方向性，焊接速度可高達15點/秒以上。金絲焊也叫熱（壓）（超）聲焊主要鍵合材料為金（AU）線焊頭為球形故為球焊。
COB封裝流程
第一步：擴晶。采用擴張機將廠商提供的整張LED晶片薄膜均勻擴張，使附著在薄膜表面緊密排列的LED晶粒拉開，便于刺晶。
第二步：背膠。將擴好晶的擴晶環放在已刮好銀漿層的背膠機面上，背上銀漿。點銀漿。適用于散裝LED芯片。采用點膠機將適量的銀漿點在PCB印刷線路板上。
第三步：將備好銀漿的擴晶環放入刺晶架中，由操作員在顯微鏡下將LED晶片用刺晶筆刺在PCB印刷線路板上。
第四步：將刺好晶的PCB印刷線路板放入熱循環烘箱中恒溫靜置一段時間，待銀漿固化后取出(不可久置，不然LED芯片鍍層會烤黃，即氧化，給邦定造成困難)。如果有LED芯片邦定，則需要以上幾個步驟；如果只有IC芯片邦定則取消以上步驟。
第五步：粘芯片。用點膠機在PCB印刷線路板的IC位置上適量的紅膠(或黑膠)，再用防靜電設備(真空吸筆或子)將IC裸片正確放在紅膠或黑膠上。
第六步：烘干。將粘好裸片放入熱循環烘箱中放在大平面加熱板上恒溫靜置一段時間，也可以自然固化(時間較長)。
第七步：邦定(打線)。采用鋁絲焊線機將晶片(LED晶粒或IC芯片)與PCB板上對應的焊盤鋁絲進行橋接，即COB的內引線焊接。
第八步：前測。使用專用檢測工具(按不同用途的COB有不同的設備，簡單的就是高精密度穩壓電源)檢測COB板，將不合格的板子重新返修。
第九步：點膠。采用點膠機將調配好的AB膠適量地點到邦定好的LED晶粒上，IC則用黑膠封裝，然后根據客戶要求進行外觀封裝。
第十步：固化。將封好膠的PCB印刷線路板放入熱循環烘箱中恒溫靜置，根據要求可設定不同的烘干時間。
第十一步：后測。將封裝好的PCB印刷線路板再用專用的檢測工具進行電氣性能測試，區分好壞優劣。
與其它封裝技術相比，COB技術價格低廉（僅為同芯片的1/3左右）、節約空間、工藝成熟。但任何新技術在剛出現時都不可能十全十美，COB技術也存在著需要另配焊接機及封裝機、有時速度跟不上以及PCB貼片對環境要求更為嚴格和無法維修等缺點。
某些板上芯片(CoB)的布局可以改善IC信號性能，因為它們去掉了大部分或全部封裝，也就是去掉了大部分或全部寄生器件。然而，伴隨著這些技術，可能存在一些性能問題。在所有這些設計中，由于有引線框架片或BGA標志，襯底可能不會很好地連接到VCC或地。可能存在的問題包括熱膨脹系數(CTE)問題以及不良的襯底連接。
將芯片封裝在一個封裝體內或其表面上是封裝界沿用了多年的一種傳統的封裝技術。如LPCC、TBGA、SOIC和DIPS等都采用這種封裝方法。90年代以來，隨著應用領域的大力驅動，封裝技術不斷取得日新月異的進展。單從封裝技術新名詞的涌現速度就足以說明封裝技術的不斷發展。近幾年在各種期刊和會議錄文章中出現的封裝技術縮略詞更是層出不窮，令人眼花繚亂，應接不暇。
人們對銅引線框架的特性及其相關的工藝技術并不陌生。采用金線與其它合金(如銅等)的引線鍵合技術已接近完美的程度。最近幾年，引線鍵合的節距(交錯節距)不斷減小，已由原來的100μm降至80μm、50μm、35μm，2002年已降至25μm。目前的封裝多采用下列兩種形式：1種是采用封帽的氣密封裝；另一種是采用模壓化合物或液體密封劑的灌封方式，使最終的封裝體能經受住可靠性測試。此外，與PCB的互連采用針式引線，其形狀可分為直接鷗翼形成“J”形。三四年以前，制造產品的最終目的通常是最大限度地延長使用壽命。但如今的情況已大不相同了，消費類產品已達到極為豐富的程度。一旦產品出現故障，人們通常采用的方法是棄舊購新，因為購買新產品的價格甚至比維修還要劃算。這也足以說明，大部分產品的價格已發生了許多變化。
2 倒裝芯片技術的發展
30多年前，“倒裝芯片”問世。當時為其冠名為“C4”，即“可控熔塌芯片互連”技術。該技術首先采用銅，然后在芯片與基板之間制作高鉛焊球。銅或高鉛焊球與基板之間的連接通過易熔焊料來實現。此后不久出現了適用于汽車市場的“封帽上的柔性材料(FOC)”；還有人采用Sn封帽，即蒸發擴展易熔面或E3工藝對C4工藝做了進一步的改進。C4工藝盡管實現起來比較昂貴(包括許可證費用與設備的費用等)，但它還是為封裝技術提供了許多性能與成本優勢。與引線鍵合工藝不同的是，倒裝芯片可以批量完成，因此還是比較劃算。
由于新型封裝技術和工藝不斷以驚人的速度涌現，因此完成具有數千個凸點的芯片設計目前已不存在大的技術障礙小封裝技術工程師可以運用新型模擬軟件輕易地完成各種電、熱、機械與數學模擬。此外，以前一些世界知名公司專為內部使用而設計的專用工具目前已得到廣泛應用。為此設計人員完全可以利用這些新工具和新工藝最大限度地提高設計性，最大限度地縮短面市的時間。
無論人們對此抱何種態度，倒裝芯片已經開始了一場工藝和封裝技術革命，而且由于新材料和新工具的不斷涌現使倒裝芯片技術經過這么多年的發展以后仍能處于不斷的變革之中。為了滿足組裝工藝和芯片設計不斷變化的需求，基片技術領域正在開發新的基板技術，模擬和設計軟件也不斷更新升級。因此，如何平衡用最新技術設計產品的愿望與以何種適當款式投放產品之間的矛盾就成為一項必須面對的重大挑戰。
由于受互連網帶寬不斷變化以及下面列舉的一些其它因素的影響，許多設計人員和公司不得不轉向倒裝芯片技術。
其它因素包括：
①減小信號電感——40Gbps(與基板的設計有關)；
②降低電源／接地電感；
③提高信號的完整性；
④最佳的熱、電性能和最高的可靠性；
⑤減少封裝的引腳數量；
⑥超出引線鍵合能力，外圍或整個面陣設計的高凸點數量；
⑦當節距接近200μm設計時允許；S片縮小(受焊點限制的芯片)；
⑧允許BOAC設計，即在有源電路上進行凸點設計。
然而，由于倒裝芯片工藝的固有特點使采用倒裝芯片工藝制作的封裝并非是全密封的，且還要使用剛性凸點。在這一點上，它與采用引線鍵合將芯片與基板相連接的方法有所不同。許多早期的C4設計都與芯片(熱膨脹系數，即CTE約為2．3-2．8ppm)一起組裝在陶瓷基板(CTE為7ppm)上。這種設計通常需要底部填料以確保芯片與基板的可靠連接。底部填充的主要作用是彌補芯片與基板之間在功率與／或熱循環期間出現的CTE失配，而不起隔離潮濕的作用。CTE失配有可能造成芯片與基板以不同的速度膨脹和收縮，最終會導致芯片的斷裂。
倒裝芯片工藝自問世以來一直在微電子封裝中得到廣泛應用。最近5年由于對提高性能，增加凸點數量和降低成本等方面不斷提出新的要求。為了滿足這些要求，許多知名大公司已對倒裝芯片技術做了許多改進。由于芯片尺寸已經增加，凸點節距已經減小，促進新型基板材料不斷問世，芯片凸點制作工藝和底部填充技術不斷改善，環保型無鉛焊料逐步得到廣泛應用，致使互連的選擇越來越廣泛。
3 新工藝問世
最近幾年由于應用領域不斷對工藝提出新的要求，世界各國，尤其是美國從事封裝技術研究的機構和公司都紛紛推出其新的工藝和技術。這些新的工藝可省去以往那些價格昂貴的基板和工藝步驟，直接在PCB上安裝更小的芯片。這些工藝尤其適用于低成本的消費類產品。此外，最近一些公司還開發出一種采用有機基板的新工藝。這種有機基板的最大優勢在于它的制造成本。它比陶瓷基板工藝的成本要低得多，而設計的線條卻可以達到非常細密的程度。自從有機基板出現以來，為了滿足日益縮小的特征尺寸的要求，許多公司已開發出有機基板專用的工具和工藝技術。
可供選擇的基板材料十分豐富，包括柔性基板(帶狀)、疊層基板(FR-4、FR-5、BTTM等)、組合基板(有機組合薄層或疊層上的薄膜介質材料)、氧化鋁陶瓷、HiTCETM陶瓷、以及具有BCBTM介質層的玻璃基板等，可謂應有盡有。幾年前，如果一個 高速芯片組件所耗的功率較高，凸點在2000個以上，節距為200pm的話，其制造難度與制作成本將會高的難以想像。但就目前的工藝設備與技術能力而言，對同類難度產品的制造與組裝成品率都已達到相當高的水平，且制造成本已趨于合理化。推動這些新工藝發展的驅動力是什么呢?其實，與任何新技術相同，推動其發展的動力仍是為了達到生產與樣品基板的普及性、基板與組裝成本、封裝設計要求與可靠性等因素之間的平衡。
4 成本問題
像其它技術一樣，倒裝芯片技術的制造成本仍然與技術和批量大小密切相關。目前大多數工藝的成本仍然十分高昂，而標準工藝仍受批量生產程度的驅使。此外，可靠性也是需要解決的一個問題。許多公司在進行有機封裝時仍在使用針對氣密封裝的可靠性標準。目前有許多公司正在和JEDEC討論解決這一問題的辦法。近一段時間，各種科技期刊報道了多篇論述這一問題的文章。估計在不遠的將來有望出臺一套專門適用于有機封裝技術的標準。與此同時，供應商與用戶也在不斷努力，為滿足單個用戶的特殊要求提供必要的可靠性。過去，IC封裝通常需要進行下面一系列的可靠性測試。
①在121℃下進行168個小時的相對濕度壓力鍋蒸煮試驗(RH-PCT)；
②在150℃下完成1000小時的高溫存儲(HTSL)試驗；
③在85℃下完成1000小時，85％相對濕度溫度-溫度偏壓試驗(RH-THBT)；
④在-55℃-+125℃下完成1000個循環。
⑤在130℃下完成超過168小時，85％相對濕度強加速溫濕應力試驗(RH-HSAT)。
封裝與PCB的二級可靠性包括許多項不同的測試。這些測試需要在0℃-100℃下完成300個循環。JEDEC對測試標準和循環的停留時間做了十分詳細的規定。
隨著有機封裝應用領域的不斷擴大，可靠性問題將成為該技術面臨的主要挑戰。其中由潮氣吸收引起的分層，以及由封裝結構的精細程度和電流密度過高引起的電遷移等問題都必須得到更多的關注。聚酰亞胺是吸潮性能最差的材料之一。盡管目前的一層或兩層帶狀生產都采用這種材料，但它與銅的粘接性能較差，因此有機封裝要想取得長足發展必須解決這些問題。
5 失效機理
要充分理解材料在使用過程中出現的失效機理仍需要通過濕氣和腐蝕測試，如PCT和HAST等。不過這些測試是否應該用作鑒定失效的基本條件仍有爭議。這些問題還有待JEDEC和其它機構的進一步商議。除此之外，封裝界還在探討其它的測試手段。一些公司認為，一理了解了失效的機理就可以取消某些測試標準。
然而，一些特殊應用的產品仍要與許多噴氣式飛機部件、醫療部件、衛星、導彈等一起進行溫度循環實驗。在這類情況下仍需要可靠性更高、壽命更長的倒裝芯片封裝。因此必須開發一種適合高速大功耗(5—100W)工作的芯片工藝技術。這類芯片的凸點通常在2000-5000個，節距在200μm或以下。盡管有許多公司正在從事這方面的研究，但誰會成為最大的贏家目前尚不明朗。
迄今為止，每個公司都在制訂各自的工作目標，因此市場上的工藝技術及支撐產品的種類十分繁雜。主要包括CSP、DCA、COB和FCBGA(倒裝
芯片焊球網絡陣列)等。
6 選擇
倒裝芯片的最終結果是一個封裝，但它本身是一種工藝而并非封裝。可以采用各種不同的方法改變工藝以滿足各種不同的應用要求。最基本的步驟包括：制作芯片封裝凸點、切片、將芯片倒裝在基板或載體上、芯片與基板再流焊、在芯片與基板之間進行底部填充、老化、制作BGA焊球、將最終的封裝組裝到另一塊印制電路板(通常為FR-4)上。
是否選擇倒裝芯片技術作為最終的封裝選擇主要取決于基板的選擇。通常基板必須符合下列要求：
①芯片的電學要求(電感、電容、電阻、傳播延遲、EMI等)；
②根據供應商提供的基板設計特點(線條、間隔、通孔尺寸、通孔直徑等)進行設計；
③成本要求；
④焊球或焊膏(含鉛或無鉛)的組份；
⑤熱性能要求；
⑥尺寸要求；
⑦應用對封裝可靠性的要求；
⑧應用對PCB或二極可靠性的要求。
7 結論
綜上所述，在設計或制造中遇到問題時應常與組裝伙伴共同商討對策。因為他們所擁有的模擬軟件可以對任何電參數和熱特性進行模擬，可最終選出最佳的封裝手段；他們的建模能力可滿足新型設計的高速要求；他們擁有豐富的經驗和可靠的數據,完全可根據設計方案完成產品的生產和制作；他們還擁有對最終產品的測試能力，還可以就材料的選擇、熱選擇、焊料合金和組裝結構提出切實可行的建議。
半導體封裝，半導體封裝是什么意思
半導體封裝簡介:
半導體生產流程由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。半導體封裝是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后，被切割為小的晶片（Die），然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細的金屬（金、錫、銅、鋁）導線或者導電性樹脂將晶片的接合焊盤（Bond Pad）連接到基板的相應引腳（Lead）,并構成所要求的電路；然后再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護，塑封之后，還要進行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、電鍍（Plating）以及打印等工藝。封裝完成后進行成品測試，通常經過入檢（Incoming）、測試（Test）和包裝（Packing）等工序，最后入庫出貨。典型的封裝工藝流程為：劃片 裝片 鍵合 塑封 去飛邊 電鍍 打印 切筋和成型 外觀檢查 成品測試 包裝出貨。
1 半導體器件封裝概述
電子產品是由半導體器件(集成電路和分立器件)、印刷線路板、導線、整機框架、外殼及顯示等部分組成，其中集成電路是用來處理和控制信號，分立器件通常是信號放大，印刷線路板和導線是用來連接信號，整機框架外殼是起支撐和保護作用，顯示部分是作為與人溝通的接口。所以說半導體器件是電子產品的主要和重要組成部分，在電子工業有“工業之米”的美稱。
我國在上世紀60年代自行研制和生產了第一臺計算機，其占用面積大約為100 m2以上，現在的便攜式計算機只有書包大小，而將來的計算機可能只與鋼筆一樣大小或更小。計算機體積的這種迅速縮小而其功能越來越強大就是半導體科技發展的一個很好的佐證，其功勞主要歸結于：(1)半導體芯片集成度的大幅度提高和晶圓制造(Wafer fabrication)中光刻精度的提高，使得芯片的功能日益強大而尺寸反而更小；(2)半導體封裝技術的提高從而大大地提高了印刷線路板上集成電路的密集度，使得電子產品的體積大幅度地降低。
半導體組裝技術(Assembly technology)的提高主要體現在它的封裝型式(Package)不斷發展。通常所指的組裝(Assembly)可定義為：利用膜技術及微細連接技術將半導體芯片(Chip)和框架(Leadframe)或基板(Sulbstrate)或塑料薄片(Film)或印刷線路板中的導體部分連接以便引出接線引腳，并通過可塑性絕緣介質灌封固定，構成整體立體結構的工藝技術。它具有電路連接，物理支撐和保護，外場屏蔽，應力緩沖，散熱，尺寸過度和標準化的作用。從三極管時代的插入式封裝以及20世紀80年代的表面貼裝式封裝，發展到現在的模塊封裝，系統封裝等等，前人已經研究出很多封裝形式，每一種新封裝形式都有可能要用到新材料，新工藝或新設備。
驅動半導體封裝形式不斷發展的動力是其價格和性能。電子市場的最終客戶可分為3類：家庭用戶、工業用戶和國家用戶。家庭用戶最大的特點是價格便宜而性能要求不高；國家用戶要求高性能而價格通常是普通用戶的幾十倍甚至幾千倍，主要用在軍事和航天等方面；工業用戶通常是價格和性能都介于以上兩者之間。低價格要求在原有的基礎上降低成本，這樣材料用得越少越好，一次性產出越大越好。高性能要求產品壽命長，能耐高低溫及高濕度等惡劣環境。半導體生產廠家時時刻刻都想方設法降低成本和提高性能，當然也有其它的因素如環保要求和專利問題迫使他們改變封裝型式。
2 封裝的作用
封裝(Package)對于芯片來說是必須的，也是至關重要的。封裝也可以說是指安裝半導體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著保護芯片和增強導熱性能的作用，而且還是溝通芯片內部世界與外部電路的橋梁和規格通用功能的作用。封裝的主要作用有：
(1)物理保護。因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降，保護芯片表面以及連接引線等，使相當柔嫩的芯片在電氣或熱物理等方面免受外力損害及外部環境的影響；同時通過封裝使芯片的熱膨脹系數與框架或基板的熱膨脹系數相匹配，這樣就能緩解由于熱等外部環境的變化而產生的應力以及由于芯片發熱而產生的應力，從而可防止芯片損壞失效。基于散熱的要求，封裝越薄越好，當芯片功耗大于2W時，在封裝上需要增加散熱片或熱沉片，以增強其散熱冷卻功能；5～1OW時必須采取強制冷卻手段。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運輸。
(2)電氣連接。封裝的尺寸調整(間距變換)功能可由芯片的極細引線間距，調整到實裝基板的尺寸間距，從而便于實裝操作。例如從以亞微米(目前已達到0．1 3μm以下)為特征尺寸的芯片，到以10μm為單位的芯片焊點，再到以100μm為單位的外部引腳，最后劍以毫米為單位的印刷電路板，都是通過封裝米實現的。封裝在這里起著由小到大、由難到易、由復雜到簡單的變換作用，從而可使操作費用及材料費用降低，而且能提高工作效率和可靠性，特別是通過實現布線長度和阻抗配比盡可能地降低連接電阻，寄生電容和電感來保證正確的信號波形和傳輸速度。
(3)標準規格化。規格通用功能是指封裝的尺寸、形狀、引腳數量、間距、長度等有標準規格，既便于加工，又便于與印刷電路板相配合，相關的生產線及生產設備都具有通用性。這對于封裝用戶、電路板廠家、半導體廠家都很方便，而且便于標準化。相比之下，裸芯片實裝及倒裝目前尚不具備這方面的優勢。由于組裝技術的好壞還直接影響到芯片自身性能的發揮和與之連接的印刷電路板(PCB)的設計和制造，對于很多集成電路產品而言，組裝技術都是非常關鍵的一環。
3 封裝的分類
半導體(包括集成電路和分立器件)其芯片的封裝已經歷了好幾代的變遷，從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到MCP再到SIP，技術指標一代比一代先進，包括芯片面積與封裝面積之比越來越接近于1，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，引腳數增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便等等。封裝(Package)可謂種類繁多，而且每一種封裝都有其獨特的地方，即它的優點和不足之處，當然其所用的封裝材料、封裝設備、封裝技術根據其需要而有所不同。
把集成電路裝配為芯片的過程被稱為什么?
這個過程稱為封裝或封測,封裝前后應該都有一個芯片測試過程.
QFN封裝IC的測試
QFN是方形扁平無引腳封裝.Quad Flat No-Lead Package.我所知道的40QFN(6*6)的Hander是Epson NS-6040設備. Load Board采用圓盤雙Site設置.和很多ATC設備一樣,一般測試分為低溫,常溫和高溫測試,即-5,30和85攝氏度.測試時間需要依照測試項目來看,一般做功能測試都需要60秒到140秒不等的時間.被測芯片都放置在專用的Tray中,送入Handler之后由帶傳動控制的吸嘴將Device吸起放入Load Board中,然后Handler的Pusher壓下進行測試.
LED的芯片封裝工藝流程是什么啊?國內有沒有比較知名的LED芯片封裝基地?
LED芯片封裝工藝流程一般包括下面基本步驟:1)芯片檢驗2)擴片3)點膠4)備膠5 )手工刺片6)自動裝架7)燒結8)壓焊9)點膠封裝10)灌膠封裝11)模壓封裝12)固化與后固化13)后固化14)切筋和劃片15)測試16)包裝.位于國家級的高新產業園區——廣州天安節能科技園的廣州光為照明科技有限公司,就是國內知名的LED芯片封裝基地之一,光為照明是一家專注于LED照明領域,集LED封裝及LED照明產品的研發、生產、銷售、服務為一體的高新技術企業.掌握封裝核心科技的LED照明,打造性價比最優的大功率LED封裝產品,是國內比較知名的LED芯片封裝基地.
半導體封測工程部測試做什么
工程部:工藝開發,工藝維護. 制作部:管理生產.和其他行業制造一樣,不要專業技術,只要跑得快,不出錯.
半導體封裝的簡介
半導體生產流程由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成.塑封之后,還要進行一系列操作,如后固化(Post Mold Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、電鍍(Plating)以及打印等工藝.典型的封裝工藝流程為:劃片 裝片 鍵合 塑封 去飛邊 電鍍 打印 切筋和成型 外觀檢查 成品測試 包裝出貨.
LED從芯片制作到外延，襯底，再到最后封裝的過程
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1.襯底是指藍寶石晶棒或者是硅經過切片，清洗，還沒有其他工藝加工的裸片。也叫基片。
2.外延片是指經過MOCVD加工的片子。
外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、SiC、Si）上，氣態物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。
具體流程是襯底 – 結構設計 – 緩沖層生長 – N型GaN層生長 – 多量子阱發光層生 – P型GaN層生長 – 退火 – 檢測（光熒光、X射線） – 外延片
芯片則是最后的工藝，在外延片上進一步加工的來的。
具體流程是外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。